Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

P5MNK012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 82
  • Hersteller: Eris
P5MNK012

P5MNG3P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • Hersteller: Eris
P5MNG3P0

P3MBC020A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 75
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12 / -8
  • Hersteller: Eris
P3MBC020A

P3MNB022

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Com. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
P3MNB022

P5MNM6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 110
  • Hersteller: Eris
P5MNM6P0

S8MBG036

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 36 / 70
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 38 / 85
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12,5 / -9,7
  • Hersteller: Eris
S8MBG036

S8MBC012

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12 / 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18 / 42
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12 / -9,8
  • Hersteller: Eris
S8MBC012

TLMPB160

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 160
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -2,5
  • Hersteller: Eris
TLMPB160

TNMPB021

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 21
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -7
  • Hersteller: Eris
TNMPB021

D1MND6P6

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
D1MND6P6