RF-Schalter

Nisshinbo Micro Devices bietet RF-Schalter an, die verschiedene Kommunikationsanwendungen wie 5G, Wi-Fi 6/6E und so weiter abdecken. Die Vorteile von Hochleistungsschalter sind niedrige Einfügungsdämpfung, hohe Isolierung und hohe Linearität auch im Hochfrequenzbereich durch unseren einzigartigen GaAs-Prozess. Darüber hinaus wird durch integrierte ESD-Schutzelemente eine hervorragende ESD-Robustheit erreicht. Nisshinbo bietet natürlich auch Produkte für die Automobilindustrie an. Darüber hinaus entwickelt man RF-Bauteile im SOI-Verfahren.

Es werden 10 von 86 Produkten angezeigt.

NJG1684ME2

  • Package (RF-Switch): QFN12
  • Features: SP4T Switch
  • P-1dB [dBm]: 36
  • Insertion Loss [dB]: 0,25@0,9GHz 0,30@1,9GHz 0,35@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 37@0,9GHz 29@1,9GHz 25@2,7GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1684ME2

NJG1647HD3

  • Package (RF-Switch): USB6
  • Features: SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 36
  • Insertion Loss [dB]: 0,25@0,9GHz 0,3@1,9GHz
  • Isolation [dB]: 25@0,9GHz 20@1,9GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1647HD3

NJG1817ME4

  • Package (RF-Switch): QFN12
  • Features: SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 40
  • Insertion Loss [dB]: 0,35@3,85GHz 0,4@4,7GHz 0,45@6,0GHz
  • Isolation [dB]: 27@3,85GHz 27@4,7GHz 25@6,0GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1817ME4

NJU1206MER

  • Package (RF-Switch): QFN14
  • Features: SP6T Switch
  • P-1dB [dBm]: 34
  • Insertion Loss [dB]: 0,30@0,9GHz 0,40@1,9GHz 0,50@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 40@0,9GHz 30@1,9GHz 26@2,7GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJU1206MER

NJG1686MHH

  • Package (RF-Switch): QFN26
  • Features: SP10T Switch
  • P-1dB [dBm]: -
  • Insertion Loss [dB]: 0,65@452 to 960MHz 0,30@452 to 960MHz 0,75@1710 to 2170MHz 0,45@1710 to 2170MHz 1,10@2300 to 2690MHz 0,45@2300 to 2690MHz 1,05@GSM850/900 1,20@GSM1800/1900
  • Isolation [dB]: 38@GSM850/900 34@GSM1800/1900 25@452 to 2690MHz 36@1805 to 1990MHz 33@452 to 2690MHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1686MHH

NJG1608KB2

  • Package (RF-Switch): FLP6
  • Features: SPDT Switch
  • P-1dB [dBm]: 27
  • Insertion Loss [dB]: 0,3@2,0GHz 0,5@2,5GHz 0,6@5,85GHz
  • Isolation [dB]: 29@2,0GHz 30@2,5GHz 18@2,5GHz
  • Hersteller: Nisshinbo
NJG1608KB2

SGM11103S

  • Package (RF-Switch): LGA10
  • Features: High Isolation SP3T RF Switch
  • P-1dB [dBm]: 30
  • Insertion Loss [dB]: 0,56@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 50@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11103S

SGM11210A

  • Package (RF-Switch): LGA18
  • Features: DP10T Diversity Switch with MIPI RFFE for Carrier Aggregation
  • P-1dB [dBm]: 25
  • Insertion Loss [dB]: 0,6@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 26@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11210A

SGM11112M

  • Package (RF-Switch): QFN20
  • Features: SP12T LTE Switch with MIPI RFFE Interface
  • P-1dB [dBm]: 26
  • Insertion Loss [dB]: 0,75@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 31@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM11112M

SGM12033A

  • Package (RF-Switch): LGA16
  • Features: 3P3T MIPI RFFE High Power Switch
  • P-1dB [dBm]: 38
  • Insertion Loss [dB]: 0,72@2,7GHz
  • Isolation [dB]: 41@2,7GHz
  • Hersteller: SG Micro
SGM12033A
Package

P-1dB [dBm]

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