Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1453 Produkten angezeigt.

N3MNA4P3

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,3
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 56
  • Hersteller: Eris
N3MNA4P3

N1MNB002

  • Package: DFN3.3X3.3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 50
  • Hersteller: Eris
N1MNB002

TLMPC045

  • Package: SOT-23S
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 45
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 56
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -4,6
  • Hersteller: Eris
TLMPC045

N3MNB5P8

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5,8
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 56
  • Hersteller: Eris
N3MNB5P8

N8MNC019

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 19
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8
  • Hersteller: Eris
N8MNC019

N5MNB6P7

  • Package: DFN2X3-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6,7
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 32
  • Hersteller: Eris
N5MNB6P7

TNMNC039

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 39
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 43
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 5,8
  • Hersteller: Eris
TNMNC039

S8MPC030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -7
  • Hersteller: Eris
S8MPC030

NKGNAB190

  • Package: DFN5X6A
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +7 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 11
  • Hersteller: Eris
NKGNAB190

T2MNM7P6

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11,4
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 80
  • Hersteller: Eris
T2MNM7P6