Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

SM520AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM520AFS

SM530AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 30 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM530AFS

SM540AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM540AFS

SM550AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 50 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
SM550AFS

SM520BF

  • Package: DO-221AA (SMBF).jpg
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM520BF

SM5200AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,92 V
  • Hersteller: Eris
SM5200AFS

N9MNB040

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 5.2
  • Hersteller: Eris
N9MNB040

N8MPB028

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -8.5
  • Hersteller: Eris
N8MPB028

P5MNC011

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P5MNC011

D1MNM020

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
D1MNM020