Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1453 Produkten angezeigt.

I2MNAB120

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 120
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 19,3
  • Hersteller: Eris
I2MNAB120

T2MNS085

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 28
  • Hersteller: Eris
T2MNS085

D1MNP052A

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 70
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
D1MNP052A

P5MPD5P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -85
  • Hersteller: Eris
P5MPD5P8

D2MNK3P4

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 165
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P4

P5MND1P3

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,34
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2,1
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 200
  • Hersteller: Eris
P5MND1P3

T2MNS140

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 140
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
T2MNS140

P5MNM6P0A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 95
  • Hersteller: Eris
P5MNM6P0A

P5MNK4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 130
  • Hersteller: Eris
P5MNK4P0

P5MNM9P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 68
  • Hersteller: Eris
P5MNM9P9