Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

TNMNB027

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
TNMNB027

P5MNC5P1

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 60
  • Hersteller: Eris
P5MNC5P1

P3MNM018A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNM018A

P3MNM018

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNM018

A1MNK2P0

  • Package: TOLLA-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 310
  • Hersteller: Eris
A1MNK2P0

I2MNAB190

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 190
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 16.5
  • Hersteller: Eris
I2MNAB190

S8MNG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5
  • Hersteller: Eris
S8MNG054

P5MND3P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 92
  • Hersteller: Eris
P5MND3P8

N8MPB017

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11,5
  • Hersteller: Eris
N8MPB017

P5MNC0P7

  • Package: PPAK5x6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0,7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 250
  • Hersteller: Eris
P5MNC0P7