Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

SM360AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
SM360AFS

SM520AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM520AFS

SM530AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 30 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM530AFS

SM580AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 80 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
SM580AFS

SM560AFS

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,7 V
  • Hersteller: Eris
SM560AFS

SM520BF

  • Package: DO-221AA (SMBF).jpg
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM520BF

SM530BF

  • Package: DO-221AA (SMBF).jpg
  • VRRM [V]: 30 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,55 V
  • Hersteller: Eris
SM530BF

SM5100BF

  • Package: DO-221AA (SMBF).jpg
  • VRRM [V]: 100 V
  • IF [A]: 5 A
  • IFSM max. [A]: 100 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,85 V
  • Hersteller: Eris
SM5100BF

P5MBD012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5 / 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 45
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42 / -27
  • Hersteller: Eris
P5MBD012

S8MBD032

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32 / 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 45 / 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,7 / -7,2
  • Hersteller: Eris
S8MBD032