Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

P6MNC6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9 / 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13 / 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 55 / 80
  • Hersteller: Eris
P6MNC6P0

TNMNG30H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNG30H

D2MNK3P2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,6
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 180
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P2

D1MNM047

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22
  • Hersteller: Eris
D1MNM047

P3MNC012A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
P3MNC012A

P3MNC012

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MNC012

P3MNC4P8

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 33
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 6,9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 64
  • Hersteller: Eris
P3MNC4P8

P3MND013

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 13
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
P3MND013

P3MNC8P5A

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 8,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 48
  • Hersteller: Eris
P3MNC8P5A

P3MNG021

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 21
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 33
  • Hersteller: Eris
P3MNG021