Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

D2MNG022

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 27
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42
  • Hersteller: Eris
D2MNG022

P5MPG085

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 101
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -14,4
  • Hersteller: Eris
P5MPG085

P5MNM020A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 25
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 40
  • Hersteller: Eris
P5MNM020A

P5MNK5P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 85
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5.6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNK5P6

P5MBC012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12 / 29
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18 / 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 23,3 / -15,2
  • Hersteller: Eris
P5MBC012

P5MPM052

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 62
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -50
  • Hersteller: Eris
P5MPM052

P5MND1P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 200
  • Hersteller: Eris
P5MND1P0

P5MNC0P9

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0,85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 1,15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNC0P9

P3MPC032

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -14
  • Hersteller: Eris
P3MPC032

T3MNS010

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
T3MNS010