Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1453 Produkten angezeigt.

P5MND4P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 4
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 70
  • Hersteller: Eris
P5MND4P0

T2MNP7P5

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 154
  • Hersteller: Eris
T2MNP7P5

T2MNS020

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 75
  • Hersteller: Eris
T2MNS020

P5MNG1P6

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 236
  • Hersteller: Eris
P5MNG1P6

TNMPB055

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 55
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: -4
  • Hersteller: Eris
TNMPB055

TQMNF16H

  • Package: SOT-523
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 55
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0,3
  • Hersteller: Eris
TQMNF16H

I2MNAB120

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 120
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 19,3
  • Hersteller: Eris
I2MNAB120

T2MNS085

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 85
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 28
  • Hersteller: Eris
T2MNS085

D1MNP052A

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 52
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 70
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
D1MNP052A

P5MPD5P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -85
  • Hersteller: Eris
P5MPD5P8