Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

P5MPB2P7

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 2,7
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -100
  • Hersteller: Eris
P5MPB2P7

P3MPB9P0

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 9
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -50
  • Hersteller: Eris
P3MPB9P0

P5MNC2P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 45
  • Hersteller: Eris
P5MNC2P5

S8MNM025

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 30
  • Hersteller: Eris
S8MNM025

P3MPC032

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -14
  • Hersteller: Eris
P3MPC032

D1MNC5P1

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,1
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 11
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 54
  • Hersteller: Eris
D1MNC5P1

LFMND0P7

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 0,7
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 455
  • Hersteller: Eris
LFMND0P7

T3MNS010

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
T3MNS010

TVMNC560

  • Package: SOT-883
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 560
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 0,4
  • Hersteller: Eris
TVMNC560

T3MNT018

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 250
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
T3MNT018