Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

LFMNK1P9

  • Package: LFPAK8080
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 85
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1,9
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 313
  • Hersteller: Eris
LFMNK1P9

T4SNAL028

  • Package: TO-247-4L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 28
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 114
  • Hersteller: Eris
T4SNAL028

T4SNAL100

  • Package: TO-247-4L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: SiC N
  • VDS [V]: 1200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 100
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: +25 / -10
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
T4SNAL100

I2MNAA190

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 600
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 190
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 13
  • Hersteller: Eris
I2MNAA190

TMMNC028

  • Package: SOT-23-6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 28
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 32
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
TMMNC028

P3MNG6P0

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 10
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 66
  • Hersteller: Eris
P3MNG6P0

TKMPM300

  • Package: SOT-223
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 300
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 340
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -8,2
  • Hersteller: Eris
TKMPM300

P5MNP012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
P5MNP012

S8MBC020

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20 / 50
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 30 / 90
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 8 / -5,5
  • Hersteller: Eris
S8MBC020

P5MNM5P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 103
  • Hersteller: Eris
P5MNM5P5A