Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

I2MNAB12H

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 1200
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 7
  • Hersteller: Eris
I2MNAB12H

P5MNG2P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 65
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 5,4
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 130
  • Hersteller: Eris
P5MNG2P8

P5MND2P5A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MND2P5A

P5MNC2P5

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 3,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 45
  • Hersteller: Eris
P5MNC2P5

S8MND5P8

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 5,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 7,8
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12
  • Hersteller: Eris
S8MND5P8

P5MNG3P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,5
  • VGS max, [V]: ±20
  • Hersteller: Eris
P5MNG3P0

T3MNS010

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 150
  • Hersteller: Eris
T3MNS010

P3MNB022

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Com. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 22
  • VGS max, [V]: ±8
  • ID @T=25°C [A]: 6
  • Hersteller: Eris
P3MNB022

S8MBC012

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 30 / -30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12 / 25
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18 / 42
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 12 / -9,8
  • Hersteller: Eris
S8MBC012

T3MNT018

  • Package: TO-247-3L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 250
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 120
  • Hersteller: Eris
T3MNT018