Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1453 Produkten angezeigt.

A1MNK2P0

  • Package: TOLLA-8
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 310
  • Hersteller: Eris
A1MNK2P0

P5MNP012A

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 150
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 100
  • Hersteller: Eris
P5MNP012A

I2MNAB190

  • Package: TO-220F
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 650
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 190
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±30
  • ID @T=25°C [A]: 16.5
  • Hersteller: Eris
I2MNAB190

S8MPG105

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: P+P
  • VDS [V]: -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: -4
  • Hersteller: Eris
S8MPG105

S8MNG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5
  • Hersteller: Eris
S8MNG054

T2MNS022

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 200
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 22
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 78
  • Hersteller: Eris
T2MNS022

T2MNN7P2

  • Package: TO-220
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 120
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 7.2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 125
  • Hersteller: Eris
T2MNN7P2

P5MND3P8

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,8
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: -
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 92
  • Hersteller: Eris
P5MND3P8

S8MNM020

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 26
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 18
  • Hersteller: Eris
S8MNM020

N8MPB017

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 17
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: -11,5
  • Hersteller: Eris
N8MPB017