Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1453 Produkten angezeigt.

ECRD040A

  • Package: SMA (DO-214AC)
  • IP typ.[mA]: 40 mA
  • Ip [mA]: 36 mA ... 44 mA
  • V [V]: 190 V
  • T [°C]: -55 °C ... 150 °C
  • Hersteller: Eris
ECRD040A

ECRD020B

  • Package: SMB (DO-214AA)
  • IP typ.[mA]: 20 mA
  • Ip [mA]: 16 mA ... 22 mA
  • V [V]: 190 V
  • T [°C]: -55 °C ... 150 °C
  • Hersteller: Eris
ECRD020B

ECRD020A

  • Package: SMA (DO-214AC)
  • IP typ.[mA]: 20 mA
  • Ip [mA]: 16 mA ... 22 mA
  • V [V]: 190 V
  • T [°C]: -55 °C ... 150 °C
  • Hersteller: Eris
ECRD020A

P5MBD012

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 11,5 / 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 16 / 45
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 42 / -27
  • Hersteller: Eris
P5MBD012

S8MBG030

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30 / 48
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 36 / 68
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5,9 / -4,7
  • Hersteller: Eris
S8MBG030

S8MBD032

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 40 / -40
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 32 / 40
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 45 / 60
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 6,7 / -7,2
  • Hersteller: Eris
S8MBD032

S8MBG054

  • Package: SOP-8
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+P
  • VDS [V]: 60 / -60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 54 / 105
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 63 / 145
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 4,5 / -3,5
  • Hersteller: Eris
S8MBG054

P6MNC4P2

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9,5 / 4,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 14,5 / 6
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 43 / 85
  • Hersteller: Eris
P6MNC4P2

P6MNC6P0

  • Package: PPAK5X6
  • Configuration: Asym. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 9 / 6
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13 / 9
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 55 / 80
  • Hersteller: Eris
P6MNC6P0

D1MNM047

  • Package: TO-252 (D-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 100
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 47
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 50
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 22
  • Hersteller: Eris
D1MNM047