Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1453 Produkten angezeigt.

TNMNG30H

  • Package: SOT-23
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 60
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3000
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4000
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 0.3
  • Hersteller: Eris
TNMNG30H

D2MNK3P2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 80
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 3,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 4,6
  • VGS max, [V]: +20 / -12
  • ID @T=25°C [A]: 180
  • Hersteller: Eris
D2MNK3P2

N3MNB8P0

  • Package: DFN3X3
  • Configuration: Com. Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 8
  • VGS max, [V]: ±12
  • ID @T=25°C [A]: 24
  • Hersteller: Eris
N3MNB8P0

N8MNB013

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 13
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 9.9
  • Hersteller: Eris
N8MNB013

N8MPB028

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: P
  • VDS [V]: -20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 28
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: -8.5
  • Hersteller: Eris
N8MPB028

N9MNB040

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 20
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 40
  • VGS max, [V]: ±10
  • ID @T=25°C [A]: 5.2
  • Hersteller: Eris
N9MNB040

NDMNC010

  • Package: DFN5X6
  • Configuration: 4 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 10,2
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 15
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
NDMNC010

N9MNC030

  • Package: DFN2X2-6L
  • Configuration: Dual
  • MOSFET Type: N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 30
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 46
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 5
  • Hersteller: Eris
N9MNC030

NEMNC018

  • Package: DFN6X6
  • Configuration: 6 IN 1
  • MOSFET Type: N+N+N+N+N+N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 18
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 24
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 23
  • Hersteller: Eris
NEMNC018

P3MNC012

  • Package: PPAK3X3
  • Configuration: Single
  • MOSFET Type: N
  • VDS [V]: 30
  • RDS(ON) @10V [mΩ]: 12
  • RDS(ON) @4,5V [mΩ]: 18
  • VGS max, [V]: ±20
  • ID @T=25°C [A]: 35
  • Hersteller: Eris
P3MNC012