Eris

Professioneller Hersteller diskreter Halbleiter

Die Eris Technology Corporation wurde 1995 in Taiwan gegründet. Das Unternehmen ist ein ODM (Original Design Manufacturer) und bietet eine Vielzahl von Dienstleistungen für die Entwicklung, Herstellung und das After-Marketing von Diodenprodukten an. Eris konzentriert sich ständig auf die Innovation von Forschung und Entwicklung auf der Grundlage seiner praktischen Einstellung und seines effizienten Managements und bietet allen Kunden qualitativ hochwertige und preisgünstige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen und ausgezeichnete Dienstleistungen. 

Produktportfolio

Die Produktpalette umfasst Schottky-, Zener- & TVS-Dioden, Brückengleichrichter, Wafer, etc.

Geeignete Anwendungen

  • Elektronik allgemein
  • Industreelektronik
  • Unterhaltungselektronik
  • Automotive Elektronik
  • Stromversorgungen

Zertifizierungen und Qualitätsmanagement

  • ISO 9001:2015
  • ISO 14001:2015
  • ISO 45001:2018
  • IATF 16949:2016
  • VDA 6.3

Es werden 10 von 1452 Produkten angezeigt.

EBRP30M60FCT

  • Package: ITO-220AB
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 30 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,56 V
  • Hersteller: Eris
EBRP30M60FCT

EBRP30L200CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 30 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,86 V
  • Hersteller: Eris
EBRP30L200CT

EBRP30E60CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 30 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,51 V
  • Hersteller: Eris
EBRP30E60CT

EBRP30L200CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 200 V
  • IF [A]: 30 A
  • IFSM max. [A]: 250 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 10 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,86 V
  • Hersteller: Eris
EBRP30L200CD2

EBRP30E60CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 60 V
  • IF [A]: 30 A
  • IFSM max. [A]: 150 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,51 V
  • Hersteller: Eris
EBRP30E60CD2

EBRP40L40SC

  • Package: DO-214AB (SMC)
  • VRRM [V]: 40 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 350 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,53 V
  • Hersteller: Eris
EBRP40L40SC

EBRP40L45CT

  • Package: TO-220AB
  • VRRM [V]: 45 V
  • IF [A]: 40 A
  • IFSM max. [A]: 200 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 500 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,53 V
  • Hersteller: Eris
EBRP40L45CT

EBRT3E150AF

  • Package: DO-221AC (SMAF)
  • VRRM [V]: 150 V
  • IF [A]: 3 A
  • IFSM max. [A]: 80 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,8 V
  • Hersteller: Eris
EBRT3E150AF

EBRP10M300T

  • Package: TO-277
  • VRRM [V]: 300 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 120 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 200 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,98 V
  • Hersteller: Eris
EBRP10M300T

MBR1020CD2

  • Package: TO-263 (D2-PAK)
  • VRRM [V]: 20 V
  • IF [A]: 10 A
  • IFSM max. [A]: 120 A
  • IR @ VRRM max. [μA]: 50 μA
  • VF @ IF max. [V]: 0,6 V
  • Hersteller: Eris
MBR1020CD2